| 发明名称 | RRAM装置与其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种RRAM装置与其形成方法，包括：底电极，位于氧化物层中；多个介电凸块，位于氧化物层上，且底电极位于相邻的两个介电凸块之间；电阻转态层，顺应性地位于介电凸块、氧化物层、与底电极上；导电储氧层，位于电阻转态层上；以及氧扩散阻障层，位于导电储氧层上。由于本发明的介电凸块可增加相邻的MIM堆叠的导电储氧层中的来自电阻转态层氧原子的迁移路径，甚至截断相邻的MIM堆叠的导电储氧层，因此可有效改善相邻MIM堆叠互相干扰的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN106611816A | 申请公布日期 | 2017.05.03 |
| 申请号 | CN201610043803.4 | 申请日期 | 2016.01.22 |
| 申请人 | 华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 陈达 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 郭晓宇 |
| 主权项 | 一种RRAM装置，其特征在于，包括：一底电极，位于一氧化物层中；多个介电凸块，位于该氧化物层上，且该底电极位于相邻的两个介电凸块之间；一电阻转态层，顺应性地位于该介电凸块、该氧化物层、与该底电极上；一导电储氧层，位于该电阻转态层上；以及一氧扩散阻障层，位于该导电储氧层上。 | ||
| 地址 | 中国台湾台中市 | ||