| 发明名称 | 一种全钝化太阳能电池结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种全钝化太阳能电池结构，包括电池层和在所述电池层的侧部形成的肖特基接触金属层，所述电池层包括N型硅基体，所述N型硅基体的正面设置有正面结构层，所述N型硅基体的背面设置有背面结构层，其中，所述正面结构层包括设置于所述N型硅基体的正面的P型硅扩散层，所述P型硅扩散层的正面设置有钝化减反膜，所述钝化减反膜的正面设置有正面电极；所述背面结构层包括设置于所述N型硅基体的背面的SiO<sub>2</sub>隧穿结，所述SiO<sub>2</sub>隧穿结的背面设置有N+硅层，所述N+硅层的背面设置有背面电极；所述正面结构的靠近边缘处的四周开设有边缘隔离槽；该全钝化太阳能电池结构，能够实现全部表面的钝化，极大地提升太阳能电池效率。 | ||
| 申请公布号 | CN106611804A | 申请公布日期 | 2017.05.03 |
| 申请号 | CN201611232997.9 | 申请日期 | 2016.12.28 |
| 申请人 | 合肥海润光伏科技有限公司 | 发明人 | 陈文浩;黄石明;孙海平;刘仁中 |
| 分类号 | H01L31/068(2012.01)I;H01L31/0216(2014.01)I | 主分类号 | H01L31/068(2012.01)I |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人 | 张海英;林波 |
| 主权项 | 一种全钝化太阳能电池结构，其特征在于，包括电池层和在所述电池层的侧部形成的肖特基接触金属层，所述电池层包括N型硅基体，所述N型硅基体的正面设置有正面结构层，所述N型硅基体的背面设置有背面结构层，其中，所述正面结构层包括设置于所述N型硅基体的正面的P型硅扩散层，所述P型硅扩散层的正面设置有钝化减反膜，所述钝化减反膜的正面设置有正面电极；所述背面结构层包括设置于所述N型硅基体的背面的SiO<sub>2</sub>隧穿结，所述SiO<sub>2</sub>隧穿结的背面设置有N<sup>+</sup>硅层，所述N<sup>+</sup>硅层的背面设置有背面电极；所述正面结构的靠近边缘处的四周开设有边缘隔离槽。 | ||
| 地址 | 230000 安徽省合肥市新站综合开发实验区大禹路1288号 | ||