背照式图像传感器及其形成方法

摘要

在一些实施例中，本发明涉及包括具有反射材料的全局快门像素的背照式(BSI)图像传感器，该反射材料防止像素级存储节点的污染。在一些实施例中，BSI图像传感器包括布置在半导体衬底内的图像感测元件和在半导体衬底内布置于横向偏离图像感测元件的位置处的像素级存储节点。反射材料还在半导体衬底内布置于介于像素级存储节点与半导体衬底的背侧之间的位置处。反射材料具有位于图像感测元件上面的孔口(aperture)。反射材料允许入射辐射到达图像感测元件同时防止入射辐射到达像素级存储节点，从而防止像素级存储节点的污染。本发明的实施例还涉及形成背照式图像传感器的方法。

主权项

一种背照式图像传感器，包括：图像感测元件，布置在半导体衬底内；像素级存储节点，布置在所述半导体衬底内的横向偏离所述图像感测元件的位置处；以及反射材料，布置在所述半导体衬底内的位于所述像素级存储节点与沿着所述半导体衬底的背侧延伸的平面之间的位置处，并且所述反射材料具有位于所述图像感测元件上面的孔口。