存储元件和存储装置

摘要

【问题】提供一种能够在短时间内执行写操作而不产生写入错误的存储元件和存储装置。【解决方案】该存储元件被配置为具有层状结构，该层状结构包括：存储层，其磁化方向根据信息而变化；磁化固定层，其磁化方向是固定的；以及中间层，设置在存储层与磁化固定层之间、由非磁性体产生。磁化固定层分层为在其间具有耦合层的至少两个铁磁层，该两个铁磁层经由耦合层磁耦合。该两个铁磁层的磁化方向从膜表面的垂直方向倾斜。通过这种配置，可以有效地抑制存储层的磁化方向与固定磁化层的磁化方向变得粗略平行或反平行所产生的磁化反转时间的分散，并且可以减少写入错误以及支持短时间的写入。

主权项

一种存储元件，包括：层状结构，至少包括：存储层，具有根据信息变化的磁化方向，磁化固定层，具有固定的磁化方向，所述磁化固定层具有其间插入耦合层而层压的两个铁磁层，插入所述耦合层来磁耦合所述铁磁层，所述铁磁层具有从垂直于所述铁磁层的膜表面的方向倾斜的磁化方向；以及中间层，包含非磁性材料、设置在所述存储层与所述磁化固定层之间，其中，通过允许电流在所述层状结构中在所述层状结构的层压方向流动而引起所述存储层的磁化方向变化来执行所述信息的记录，其中：所述磁化固定层具有按顺序层压的第一铁磁层、所述耦合层和第二铁磁层，所述第一铁磁层具有第一磁能，所述第一磁能被定义为具有通过从所述第一铁磁层的磁化位于所述第一铁磁层的膜表面内的状态下的磁能减去所述第一铁磁层的磁化垂直于所述第一铁磁层的膜表面的状态下的磁能计算的值，所述第二铁磁层具有第二磁能，所述第二磁能被定义为具有通过从所述第二铁磁层的磁化位于所述第二铁磁层的膜表面内的状态下的磁能减去所述第二铁磁层的磁化垂直于所述第二铁磁层的膜表内的状态下的磁能计算的值，以及所述第一磁能和所述第二磁能具有带不同符号的值。