| 发明名称 | 非易失性存储器件、包括其的存储器系统及其操作方法 | ||
| 摘要 | 一种非易失性存储器件，包括：非易失性存储器单元阵列，包括多个字线；电压产生器，配置为使用电源电压产生第一高电压以及使用高于电源电压的外部电压产生第二高电压；和字线选择电路。所述字线选择电路被配置为在存储器单元阵列的编程操作期间将第一高电压施加到多个字线中所选择的字线，以及将第二高电压施加到多个字线中未选择的字线。 | ||
| 申请公布号 | CN102651237B | 申请公布日期 | 2017.05.03 |
| 申请号 | CN201210047778.9 | 申请日期 | 2012.02.28 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 姜相喆;权锡千;李秀雄 |
| 分类号 | G11C16/10(2006.01)I;G11C16/26(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 邵亚丽 |
| 主权项 | 一种非易失性存储器件，包括：非易失性存储器单元阵列，包括多个字线；电压产生器，配置为分别从外部设备接收外部电压和电源电压，以及使用电源电压产生第一高电压以及使用高于电源电压的外部电压产生第二高电压；和字线选择电路，配置为在存储器单元阵列的编程操作期间将所述第一高电压施加到所述多个字线中所选择的字线，以及将所述第二高电压施加到所述多个字线中未选择的字线。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||