发明名称 |
一种用于半导体电热膜的制备方法 |
摘要 |
一种用于半导体电热膜的制备方法,包括以下步骤:1)、原料调制将金属化合物,如金、银、锡-----或其他有机化合物在制程时添加入1%-10%重量比的化合物;2)、材料调和将上述原料与20%-60%的介质材料;3)、基材清理将可供发热的预先成型元件基材、如石英、玻璃、陶瓷、云母的类耐高温低膨胀数材料所制成,以净化的软水清洗其表面并加以烘干;4)、高温雾化成长将上述基材置入高温炉室加热使其表面活化,再将上述已调制的流体材料以雾化喷入高温炉室中,成为带电位离子均匀披覆于基材表面,形成半导体发热薄膜。本发明,操作方便,生产效率高,能很好的满足批量生产的需要。 |
申请公布号 |
CN106612568A |
申请公布日期 |
2017.05.03 |
申请号 |
CN201510687849.5 |
申请日期 |
2015.10.22 |
申请人 |
徐荣俊 |
发明人 |
徐荣俊 |
分类号 |
H05B3/26(2006.01)I;H05B3/12(2006.01)I |
主分类号 |
H05B3/26(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种用于半导体电热膜的制备方法,包括以下步骤:1)、原料调制将金属化合物,如金、银、锡‑‑‑‑‑或其他有机化合物在制程时添加入1%‑10%重量比的化合物,如锑、铁、氟作为掺杂剂;2)、材料调和将上述原料与20%‑60%的介质材料,如水、甲醇、盐酸、乙醇、乙胺、三乙胺,均匀混合;3)、基材清理将可供发热的预先成型元件基材、如石英、玻璃、陶瓷、云母的类耐高温低膨胀数材料所制成,以净化的软水清洗其表面并加以烘干;4)、高温雾化成长将上述基材置入高温炉室加热使其表面活化,再将上述已调制的流体材料以雾化喷入高温炉室中,成为带电位离子均匀披覆于基材表面,形成半导体发热薄膜。 |
地址 |
212300 江苏省镇江市丹阳市访仙镇大连村11号 |