非挥发性闪存的有效编程方法

摘要

本发明是一种非挥发性闪存的有效编程方法，其中，非挥发性闪存包含多个记忆胞，且每个记忆胞包含选择晶体管及相对的浮动晶体管，而本发明的方法包括：施加正电压到当作字线用的浮动晶体管的控制闸极，施加零电压到三重P型位阱、深N型位阱、选择晶体管的选择闸极，藉以关闭选择晶体管，最后施加中等正电压到控制晶体管的汲极。由于接面能带到能带穿隧的作用，使得在位线的接面以及三重型位阱之间所产生的电洞‑电子对中的电子会在正电场的牵引下，跳跃到浮动晶体管的浮动闸极中，因而感应较高的记忆胞临限电压，达到编程目的。

主权项

一种非挥发性闪存的有效编程方法，用以对一非挥发性闪存进行有效编程，其中该非挥发性闪存包含多个选择晶体管、多个浮动晶体管，且每个选择晶体管是与相对应的浮动晶体管形成一记忆胞，每个选择晶体管及每个浮动晶体管是属于N型晶体管，每个记忆胞是设置于一三重P型位阱中，而该三重P型位阱是设置于一深N型位阱中，该深N型位阱是设置于一P型基板中，该浮动晶体管具有相互不电气连接的一浮动闸极及一控制闸极，该选择晶体管的一源极连接共享的一源极线，该选择晶体管的一汲极连接该浮动晶体管的一源极，该浮动晶体管的一汲极连接一位线，该浮动晶体管的控制闸极连接一字线，其特征在于，该有效编程方法包括：一第一编程步骤，施加一正电压到该浮动晶体管的控制闸极；一第二编程步骤，施加零电压或一负电压到该三重P型位阱、该深N型位阱；一第三编程步骤，施加零电压或该负电压到该选择晶体管的一选择闸极，藉以关闭该选择晶体管；以及一第四编程步骤，施加一中等正电压到该浮动晶体管的汲极，其中，该位线以及该三重型位阱之间的接面在能带到能带穿隧的作用下，使得电洞‑电子对的电子跳跃到该浮动闸极，因而感应较高的一记忆胞临限电压以当作状态“0”。