发明名称 |
用于处理绝缘体上半导体结构以提高半导体层厚度均匀度的工艺 |
摘要 |
本发明涉及一种用于处理绝缘体上半导体型结构的工艺,该绝缘体上半导体型结构依次包括支撑衬底(1)、介电层(2)和具有小于或等于100nm的厚度的半导体层(3),所述半导体层(3)被牺牲氧化物层(4)覆盖,其特征在于该工艺包括以下步骤:在分布在所述结构的表面上的多个点处测量所述牺牲氧化物层(4)和所述半导体层(3)的厚度,以根据所述测量生成所述半导体层(3)的厚度的绘图并确定所述半导体层(3)的平均厚度,选择性刻蚀所述牺牲氧化物层(4)以暴露所述半导体层(3),以及对所述半导体层(3)执行化学刻蚀,根据所述半导体层(3)的平均厚度的所述绘图来调整所述化学刻蚀的施加、温度和/或持续时间条件,从而在所述测量步骤结束时将所述半导体层(3)至少局部地减薄被识别为高出的厚度的厚度。 |
申请公布号 |
CN104380447B |
申请公布日期 |
2017.05.03 |
申请号 |
CN201380026524.1 |
申请日期 |
2013.05.01 |
申请人 |
索泰克公司 |
发明人 |
沃尔特·施瓦岑贝格;卡里纳·杜雷特;F·博迪特 |
分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 11127 |
代理人 |
吕俊刚;刘久亮 |
主权项 |
一种用于处理绝缘体上半导体型结构的工艺,该绝缘体上半导体型结构依次包括支撑衬底(1)、介电层(2)和具有小于或等于100 nm的厚度的半导体层(3),所述半导体层(3)被牺牲氧化物层(4)覆盖,其特征在于该工艺包括以下步骤:‑在分布在所述结构的表面上的多个点处测量所述牺牲氧化物层(4)和所述半导体层(3)的厚度,以根据所述测量生成所述半导体层(3)的厚度的绘图并确定所述半导体层(3)的平均厚度,‑选择性刻蚀所述牺牲氧化物层(4)以暴露所述半导体层(3),以及‑对所述半导体层(3)执行化学刻蚀,根据所述半导体层(3)的平均厚度的所述绘图来调整所述化学刻蚀的施加、温度和/或持续时间条件,从而在所述测量步骤结束时将所述半导体层(3)至少局部地减薄被识别为高出的厚度的厚度,其中,所述高出的厚度对应于根据所述测量获得的所述半导体层(3)的厚度与目标厚度之间的差异,所述目标厚度小于或等于所述平均厚度。 |
地址 |
法国伯尔宁 |