金属内连线结构及其工艺

摘要

本发明公开一种金属内连线工艺，包括于衬底上形成第一介电层，且于第一介电层中形成导体插塞。在第一介电层上形成第二介电层，并在第二介电层中形成介层窗开口。在第二介电层的表面以及介层窗开口的侧壁与底部形成衬层。在介层窗开口中填入填充层。在衬层上形成第三介电层。形成自对准双重金属镶嵌结构，其穿过第三介电层以及介层窗开口中的填充层与衬层，与导体插塞电连接。本发明还公开一种金属内连线。本发明可以节省工艺步骤，增加工艺裕度，可以改善位线与栅极导体之间耦合的问题，克服光刻临界尺寸的极限，提升套刻的裕度，降低产品的成本。

主权项

一种金属内连线工艺，其特征在于包括：提供衬底，所述衬底上已形成第一介电层，且所述第一介电层中已形成导体插塞；在所述第一介电层上形成第二介电层；所述第二介电层中形成第一介层窗开口；在所述第二介电层的表面以及所述第一介层窗开口的侧壁与底部形成衬层；于所述第一介层窗开口中填入填充层；于所述衬层上形成第三介电层；以及形成自对准双重金属镶嵌结构，所述自对准双重金属镶嵌结构穿过所述第三介电层以及所述第一介层窗开口中的所述填充层与所述衬层，与所述导体插塞电连接。