一种热致发声装置的制备方法及装置

摘要

本发明涉及发声装置技术领域，尤其涉及一种热致发声装置的制备方法及装置。该热致发声装置的制备方法主要为在基底表面旋涂光刻胶，利用有多个成阵列排列的不透光图案的光刻板对基底曝光、显影溶解，以在基底上形成包括多个成阵列排列的柱体光刻胶体的刻蚀掩膜层，然后对其进行刻蚀，以在刻蚀掩膜层和基底之间形成包括多个成阵列排列的锥体结构的基底结构层；去除刻蚀掩膜层后，在基底结构层上溅射一金属薄膜层，并在其上覆盖一通过基底结构层的椎体顶点支撑的石墨烯层；该热致发声装置是通过如上所述的制备方法制备而成。该热致发声装置的制备方法制备出的热致发声装置具有阵列型点-面接触结构，该热致发声装置具有高效的发声效率和发声强度。

主权项

一种热致发声装置的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、提供一基底(1)，所述基底(1)具有一平整的表面；S2、在所述基底(1)的表面旋涂光刻胶，以在所述基底(1)上形成一具有一定厚度的光刻胶层；S3、将具有所述光刻胶层的基底(1)通过光刻板进行光刻曝光，所述光刻板上具有多个成阵列排列的不透光图案；S4、将具有所述曝光后的光刻胶层的基底(1)进行固化，然后显影溶解，以在所述基底(1)上形成刻蚀掩膜层，所述刻蚀掩膜层包括多个成阵列排列的柱体的光刻胶体；S5、对具有所述刻蚀掩膜层的基底(1)进行各向同性刻蚀，以在所述刻蚀掩膜层和基底(1)之间形成基底结构层(2)，所述基底结构层(2)包括多个成阵列排列的锥体结构；S6、对具有所述刻蚀掩膜层和基底结构层(2)的基底进行氧等离子体刻蚀，以去除所述刻蚀掩膜层；S7、在具有所述基底结构层(2)的基底上溅射一金属薄膜层(6)；S8、在具有所述金属薄膜层(6)的基底上平铺一石墨烯层(3)，所述石墨烯层(3)通过所述基底结构层(2)的锥体顶点支撑。