一种深能级杂质隧穿场效应晶体管及其制备方法

摘要

本发明公布了一种深能级杂质隧穿场效应晶体管及其制备方法，该深能级杂质隧穿场效应晶体管包括隧穿源区、深能级杂质掺杂区、沟道区、漏区和控制栅；控制栅位于沟道区的上方；深能级杂质掺杂区在隧穿源区与沟道区交界面处，该深能级杂质的掺杂类型与隧穿源区的掺杂类型相反。本发明提供的深能级杂质隧穿场效应晶体管可以是N型器件或P型器件，其器件结构可在保持隧穿场效应晶体管较陡直的亚阈值斜率的同时，显著提高隧穿晶体管的开态电流。而且制备工艺简单，制备方法完全基于标准的CMOS IC工艺，能有效地在CMOS集成电路中集成TFET器件，极大地降低生产成本，简化工艺流程。

主权项

一种深能级杂质隧穿场效应晶体管，其特征是，包括隧穿源区、深能级杂质掺杂区、沟道区、漏区和控制栅；所述控制栅位于所述沟道区的上方；所述深能级杂质掺杂区在隧穿源区与沟道区交界面处，所述深能级杂质掺杂区的掺杂类型与所述隧穿源区的掺杂类型相反。