| 主权项 |
1﹒用以将一种氧化矽之选定部份蚀劾除去,并使界限此选定部份之其余氧化矽边缘渐缩之一种方法。该方法系包括下述步骤:在该本体表面上使用一层阻光层以限定该选定部份使用包括适用于氧化矽之一种蚀刻剂和一种除去阻光层之组份的一种复合溶液,将所选定的部份蚀刻除去,以消除界限该选定部份处之阻光后之边缘。2﹒根据上述请求专利部份第1项之一种方法,在其中,在蚀刻除去该选定部份之步骤前三0分钟内,将阻光层烘焙;及适用于该氧化矽之蚀刻剂系包括以容量计二五份之氟化铵(百分之四0溶液)及以容量计约四份之氢氟酸(百分之四九溶液)者。3﹒根据上述请求专利部份第2项之上一种方法;在其中,该除去阻光层之组份系包括以容量计大约百分之三与大约百分之七间的在该复合溶液中之硫酸,及蚀刻系在大约摄氏四0度下实施者。4﹒根据上述请求专利部份第2项之一种方法;在其中,除去阻光吊之组份系包括以容量计约百分之五与约百分之一五间的在该复合物溶液中之醋酸,及蚀刻系在约摄氏四0度下实旅者。5﹒根据上述请求专利部份第2项之一种方法;在其中,除去阻光层之组份系包括约百分之五与约百分之一五间的在复合溶液中之磷酸,及蚀刻系在约摄氏四0度下实旅者。6﹒根据上述请求专利部份第2项之一种方法;在其中,除去阻光层之组份系为约百分之五与约百分之一五间的在复合物溶液中之硝酸,及蚀刻系在约摄氏四0度下实旅者。7﹒用于自氧化矽之一本体上蚀除氧化矽之一选定部份及使界限该部份之其余氧化矽之边缘渐缩之一种方法,该方法包括下列步骤:用一种阻光层涂于包括上述选定部份之该本体之表面,将该阻光层曝光及显影以限定上述选定部份焙烘该阻光层确使其与上述氧化矽黏合良好,及将该氧化矽之一种蚀刻溶液施用于该选定部份,此蚀刻溶液亦含有用以自该阻光层与该氧化矽间之界面上除去在该选定部份之界限上之该阻光层边缘之一种酸,以蚀去该选定部份及提供界限该部份之其余氧化矽之一种渐缩边缘者。8﹒用以自氧化矽之一本体上蚀除氧化矽之一选定部份及使界限该部份之其余氧化矽之边缘渐缩之一种方法,该方法乃包括下列步骤:用一种阻光层涂于包括上述选定部份之该本也之表面上,将该阻光层曝光及显影以限定上述选定部份在摄氏一00度增加或减去五度之温度下焙烘该阻光层历时三0增加或减去二分钟,将该阻光层冷至至少摄氏二六度,用一种蚀刻溶液在摄氏二六﹒五度增或减0﹒五度之温度下蚀除氧化矽之该选定部份直至获得所要之蚀刻深度为止,此蚀刻溶液包含以容量计二五份之氖化铵(百分之四0溶液),约四份之氢氖酸(百分之四九溶液),及约一五﹒五份之冰醋酸。使用去电离之水清洗蚀刻部份,及乾燥该本体者。 |
