发明名称 |
上电极机构及半导体加工设备 |
摘要 |
本发明提供一种上电极机构及半导体加工设备,其包括设置在反应腔室顶部的线圈、匹配器和线圈屏蔽组件,其中,线圈通过线圈连接件与匹配器电连接。线圈屏蔽组件用于将在匹配器与线圈连接件的连接处产生的水平干扰电场与由线圈产生的垂直电场隔离。本发明提供的上电极机构,其可以避免在匹配器与线圈连接件的连接处产生的水平干扰电场对由线圈产生的垂直电场进行干扰,从而可以保证等离子体的分布均匀性。 |
申请公布号 |
CN106601579A |
申请公布日期 |
2017.04.26 |
申请号 |
CN201510679475.2 |
申请日期 |
2015.10.19 |
申请人 |
北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
发明人 |
张虎威 |
分类号 |
H01J37/32(2006.01)I |
主分类号 |
H01J37/32(2006.01)I |
代理机构 |
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 |
代理人 |
彭瑞欣;张天舒 |
主权项 |
一种上电极机构,包括设置在反应腔室顶部的线圈和匹配器,所述线圈通过线圈连接件与所述匹配器电连接,其特征在于,还包括线圈屏蔽组件,用于将在所述匹配器与所述线圈连接件的连接处产生的水平干扰电场与由所述线圈产生的垂直电场隔离。 |
地址 |
100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号 |