发明名称 |
用于MCU芯片的程序升级方法 |
摘要 |
本发明公开了一种用于MCU芯片的程序升级方法,包括:步骤一,将新程序存储在所述SRAM存储器中;步骤二,当所述FLASH存储器处于能够再编程状态时,将所述新程序从所述SRAM存储器搬移至所述第二存储区;步骤三,将所述第二存储区的首地址改为所述第一地址,且将所述第一存储区的首地址改为所述第二地址。本发明的用于MCU芯片的程序升级方法,针对传统MCU芯片升级的不足,利用上述方法,使得可以实现在升级程序时,无需擦除MCU中原有程序,提高升级的可靠性;在升级过程中,无需停止运行程序。不仅规避了升级过程中各种意外以及程序版本临时替换带来的风险,也使升级过程更加的安全可靠。 |
申请公布号 |
CN106598586A |
申请公布日期 |
2017.04.26 |
申请号 |
CN201611124136.9 |
申请日期 |
2016.12.08 |
申请人 |
上海贝岭股份有限公司 |
发明人 |
王甲;韩明;石飞;李鹏;傅代军;陈立军 |
分类号 |
G06F9/44(2006.01)I;G06F9/445(2006.01)I |
主分类号 |
G06F9/44(2006.01)I |
代理机构 |
北京金信知识产权代理有限公司 11225 |
代理人 |
刘锋;田菁 |
主权项 |
一种用于MCU芯片的程序升级方法,所述MCU芯片包括FLASH存储器、SRAM存储器和CPU,其特征在于,所述FLASH存储器包括第一存储区和第二存储区,在所述MCU芯片中的程序升级之前,原程序存储在所述第一存储区中,所述第一存储区的首地址为第一地址,所述第二存储区的首地址为第二地址,所述第一地址为所述CPU执行程序时的起始地址,所述方法包括:步骤一,将新程序存储在所述SRAM存储器中;步骤二,当所述FLASH存储器处于能够再编程状态时,将所述新程序从所述SRAM存储器搬移至所述第二存储区;步骤三,将所述第二存储区的首地址改为所述第一地址,且将所述第一存储区的首地址改为所述第二地址。 |
地址 |
200233 上海市徐汇区宜山路810号 |