| 发明名称 | 一种In<sub>x</sub>Al<sub>y</sub>Ga<sub>1‑x‑y</sub>N/GaN异质结构外延方法 | ||
| 摘要 | 本发明公布了一种高电学性能In<sub>x</sub>Al<sub>y</sub>Ga<sub>1‑x‑</sub><sub>y</sub>N/GaN异质结构外延方法，是在生长一层GaN外延层后，在其上生长GaN沟道层；然后停止生长，将温度降至低温，即600‑900℃温度范围内；待温度稳定后生长低温AlN插入层；随后再生长In<sub>x</sub>Al<sub>y</sub>Ga<sub>1‑x‑y</sub>N势垒层，形成In<sub>x</sub>Al<sub>y</sub>Ga<sub>1‑x‑y</sub>N/GaN异质结构。与现有的高温AlN插入层技术相比，本发明改为低温AlN插入层，避免了GaN外延层在高温AlN插入层生长环境下的表面退化，降低了界面的粗糙度，提高了异质结构材料的界面质量，进而提高2DEG的迁移率，十分适合于高频、高功率器件的研制。 | ||
| 申请公布号 | CN106601787A | 申请公布日期 | 2017.04.26 |
| 申请号 | CN201611087469.9 | 申请日期 | 2016.12.01 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 杨学林;沈波;张洁;程建朋;冯玉霞;纪攀峰 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/20(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人 | 李稚婷 |
| 主权项 | 一种In<sub>x</sub>Al<sub>y</sub>Ga<sub>1‑x‑y</sub>N/GaN异质结构的外延生长方法，其特征在于，在生长一层GaN外延层后，在其上生长GaN沟道层；然后停止生长，将温度降至低温，即600‑900℃温度范围内；待温度稳定后生长低温AlN插入层；随后再生长In<sub>x</sub>Al<sub>y</sub>Ga<sub>1‑x‑y</sub>N势垒层，形成In<sub>x</sub>Al<sub>y</sub>Ga<sub>1‑x‑y</sub>N/GaN异质结构，其中0≤x≤0.8，0<y≤1.0，且x+y≤1.0。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区颐和园路5号 | ||