一种半导体器件和电子装置

摘要

本发明提供一种半导体器件和电子装置，涉及半导体技术领域。包括：基底，基底包括第一表面以及与第一表面相对的第二表面；层间介电层，形成于基底的第一表面上；金属互连结构，形成于层间介电层中；焊盘，焊盘连接金属互连结构的底部金属层；静电放电保护元件，其位于焊盘的下方、基底的第一表面上；硅通孔，硅通孔位于所述底部金属层的下方，其与所述底部金属层相连接，并穿过静电放电保护元件将所述焊盘与所述静电放电保护元件电连接，且所述硅通孔的另一端从所述基底的所述第二表面露出。根据本发明的半导体器件，其通过贯穿基底的通孔将ESD保护元件直接与焊盘相连接，而不需增加其它另外的通孔，因而避免了对焊盘下方有源区的消耗。

主权项

一种半导体器件，包括：基底，所述基底包括第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；层间介电层，形成于所述基底的所述第一表面上；金属互连结构，形成于所述层间介电层中；焊盘，所述焊盘连接所述金属互连结构的底部金属层；静电放电保护元件，其位于所述焊盘的下方、所述基底的第一表面上；硅通孔，所述硅通孔位于所述底部金属层的下方，其与所述底部金属层相连接，并穿过所述静电放电保护元件将所述焊盘与所述静电放电保护元件电连接，且所述硅通孔的另一端从所述基底的所述第二表面露出。