| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。该制造方法包括：步骤S101：提供半导体晶圆，在所述半导体晶圆上形成焊盘以及覆盖所述半导体晶圆并且暴露所述焊盘的钝化层；步骤S102：在所述焊盘上形成凸块；步骤S103：对所述钝化层进行表面处理，以增加所述钝化层的表面粗糙度；步骤S104：执行回流工艺，以使所述凸块形成稳定合金。本发明的半导体器件的制造方法，可以提高钝化层和填料之间的粘结力，从而可以提高倒装封装工艺的成品率。 | ||
| 申请公布号 | CN106601632A | 申请公布日期 | 2017.04.26 |
| 申请号 | CN201510660932.3 | 申请日期 | 2015.10.14 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 薛兴涛;何智清 |
| 分类号 | H01L21/56(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/56(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括下述步骤：步骤S101：提供半导体晶圆，在所述半导体晶圆上形成焊盘以及覆盖所述半导体晶圆并且暴露所述焊盘的钝化层；步骤S102：在所述焊盘上形成凸块；步骤S103：对所述钝化层进行表面处理，以增加所述钝化层的表面粗糙度；步骤S104：执行回流工艺，以使所述凸块形成稳定合金。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||