| 发明名称 | 接合结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种方法包括在导电焊盘上方形成第一介电层，在第一介电层上方形成第二介电层并且蚀刻第二介电层以形成第一开口，第一介电层的顶面暴露于第一开口。形成模板层以填充第一开口。然后，在模板层和第一介电层中形成第二开口，导电焊盘的顶面暴露于第二开口。在第二开口中形成导电柱。本发明的实施例还涉及接合结构及其形成方法。 | ||
| 申请公布号 | CN106601622A | 申请公布日期 | 2017.04.26 |
| 申请号 | CN201610643423.4 | 申请日期 | 2016.08.08 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 李明机;刘重希;古进誉;郭宏瑞;亚历山大·卡尔尼茨基;何明哲;吴逸文;陈清晖;刘国洲 |
| 分类号 | H01L21/48(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种形成接合结构的方法，包括：在导电焊盘上方形成第一介电层；在所述第一介电层上方形成第二介电层；蚀刻所述第二介电层以形成第一开口，所述第一介电层的顶面暴露于所述第一开口；形成填充所述第一开口的模板层；在所述模板层和所述第一介电层中形成第二开口，所述导电焊盘的顶面暴露于所述第二开口；以及在所述第二开口中镀导电柱。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||