| 发明名称 | 一种低损伤晶片减薄工艺 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种低损伤晶片减薄工艺，所述PMNT晶片表面分别标记为表面1与表面2，其工艺流程为：PMNT晶片表面1的处理；PMNT晶片表面2的处理；PMNT晶片表面1与PMNT表面2的低损伤处理；清洗：清洗去除氢氟酸缓冲液；所述PMNT晶片表面1与PMNT晶片表面2的低损伤处理的具体步骤为采用氢氟酸缓冲液对PMNT晶片的表面1与表面2进行湿法腐蚀以去除缺陷和损伤，时间控制在于10min±30s。 | ||
| 申请公布号 | CN106601590A | 申请公布日期 | 2017.04.26 |
| 申请号 | CN201611183350.1 | 申请日期 | 2016.12.20 |
| 申请人 | 上海电机学院 | 发明人 | 马学亮;陈平;张华;王永存 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司 31227 | 代理人 | 俞晨波 |
| 主权项 | 一种低损伤晶片减薄工艺，其特征在于：所述PMNT晶片表面分别标记为表面1与表面2，其工艺流程为：1)PMNT晶片表面1的处理；2)PMNT晶片表面2的处理；3)PMNT晶片表面1与PMNT表面2的低损伤处理；4)清洗：清洗去除氢氟酸缓冲液。 | ||
| 地址 | 200240 上海市闵行区江川路690号 | ||