发明名称 |
一种TDDB测试结构 |
摘要 |
本实用新型提供一种TDDB测试结构,包括:衬底;多个有源区,形成于衬底上;浅沟槽隔离区,位于有源区两侧,适于将相邻两个有源区隔离;多晶硅条,相互平行且呈指状分布,多晶硅条沉积于有源区和/或浅沟槽隔离区上;第一金属线层,位于多晶硅条上方,且与多晶硅条电连接;层间介质层,填充于多晶硅条与第一金属线层之间,适于隔离多晶硅条与第一金属线层。该TDDB测试结构包括了多晶硅条与浅沟槽隔离区、有源区之间各种位置关系的结构,真实反映芯片层间介质层的厚度和平坦性,提高测试结果的合理性和准确性,且可以避免一定方向上的对准偏移问题。 |
申请公布号 |
CN206134675U |
申请公布日期 |
2017.04.26 |
申请号 |
CN201621192272.7 |
申请日期 |
2016.11.03 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
王锴;杨丽娟 |
分类号 |
H01L23/544(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/544(2006.01)I |
代理机构 |
上海光华专利事务所 31219 |
代理人 |
王华英 |
主权项 |
一种TDDB测试结构,其特征在于,包括:衬底;多个有源区,形成于所述衬底上;浅沟槽隔离区,位于所述有源区两侧,适于将相邻两个所述有源区隔离;多晶硅条,相互平行且呈指状分布,所述多晶硅条沉积于所述有源区和/或所述浅沟槽隔离区上;第一金属线层,位于所述多晶硅条上方,且与所述多晶硅条电连接;层间介质层,填充于所述多晶硅条与所述第一金属线层之间,适于隔离所述多晶硅条与所述第一金属线层。 |
地址 |
100176 北京市大兴区经济技术开发区(亦庄)文昌大道18号 |