| 发明名称 | 一种制造高比容量电极薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种制造高比容电极薄膜的方法，包括：采用反向胶束聚合法合成石墨烯/导电聚合物/导电聚合物纳米结构复合溶液，然后制备石墨烯/导电聚合物/导电聚合物纳米结构复合纳米薄膜，接着采用快速升温干燥法制备多孔石墨烯/导电聚合物/导电聚合物纳米结构复合纳米薄膜，最后采用电化学方法制备石墨烯/导电聚合物/导电聚合物纳米结构/金属氧化物复合纳米薄膜，从而获得一种高比容电极薄膜。该方法制备的复合纳米电极为多组份的复合纳米薄膜，在高比容量电化学储能材料上具有广泛的用途。 | ||
| 申请公布号 | CN103887075B | 申请公布日期 | 2017.04.26 |
| 申请号 | CN201410144026.3 | 申请日期 | 2014.04.11 |
| 申请人 | 电子科技大学 | 发明人 | 杨亚杰;杨晓洁;杨文耀;徐建华;蒋亚东 |
| 分类号 | H01G11/22(2013.01)I;H01G11/36(2013.01)I;C08G73/06(2006.01)I;C08G61/12(2006.01)I;C08J9/28(2006.01)I | 主分类号 | H01G11/22(2013.01)I |
| 代理机构 | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人 | 谭新民 |
| 主权项 | 一种制造高比容量电极薄膜的方法，其特征在于，包括：将导电聚合物单体和表面活性剂溶于有机溶剂中，获得第一溶液，所述表面活性剂在所述有机溶液中形成不同形貌的用于导电聚合物纳米结构的合成的反向胶束模板；将氧化剂和石墨烯加入所述第一溶液中，获得第二溶液，其中所述第二溶液中包括石墨烯/导电聚合物/导电聚合物纳米结构的复合结构；将所述第二溶液中的所述石墨烯/导电聚合物/导电聚合物纳米结构的复合结构转移到基片上，形成复合纳米薄膜，其中所述复合纳米薄膜具有导电聚合物包裹石墨烯和导电聚合物纳米结构的复合结构；使形成了所述复合纳米薄膜的基片快速升温，使所述复合纳米薄膜形成具有多孔结构的复合纳米薄膜；在所述具有多孔结构的复合纳米薄膜上形成金属氧化物，获得石墨烯/导电聚合物/导电聚合物纳米结构/金属氧化物复合纳米薄膜。 | ||
| 地址 | 611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号 | ||