| 发明名称 | 在C‑方向错切小于+/‑15度的m‑平面基底上的半极性III‑氮化物光电子装置 | ||
| 摘要 | 在GaN的错切上生成的光电子装置，其中所述错切包括在GaN的c‑方向且与GaN的m‑平面错切x度的（GaN的）半极性GaN晶体平面，其中‑15<x<‑1和1<x<15度。 | ||
| 申请公布号 | CN102782966B | 申请公布日期 | 2017.04.26 |
| 申请号 | CN201180012048.9 | 申请日期 | 2011.03.04 |
| 申请人 | 加利福尼亚大学董事会 | 发明人 | P·S·徐;K·M·科尔奈;R·M·法雷尔;D·A·海格尔;H·太田;A·泰亚吉;S·纳卡姆拉;S·P·德恩巴阿斯;J·S·斯派克 |
| 分类号 | H01S5/00(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人 | 赵蓉民;陆惠中 |
| 主权项 | 光电子装置，所述光电子装置包括：一个或多个半极性III‑氮化物层，所述一个或多个半极性III‑氮化物层在GaN的半极性晶体平面上外延生成，其中：所述半极性晶体平面在GaN的c‑方向且与GaN的m‑平面x度定向，其中‑15<x<‑1和1<x<15度；和所述半极性晶体平面是{30‑31}、{30‑3‑1}、{40‑41}或{40‑4‑1}平面。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||