| 发明名称 | 元件制造方法及转印基板 | ||
| 摘要 | 能减轻电子元件制造业者的负担，且制造高精度电子元件。将构成电子元件的至少一部分积层构造体形成于转印基板即第1基板上后，将积层构造体(52)转印至第2基板(P2)上的元件制造方法，具备：第1步骤，藉由于第1基板(P1)上形成第1导电层(52a)，于第1导电层(52a)上形成功能层(52b)，于功能层(52b)上形成第2导电层(52c)，以形成积层构造体(52)；以及第2步骤，以第2导电层(52c)位于第2基板(P2)侧的方式使第1基板(P1)与第2基板(P2)暂时紧贴，以将积层构造体(52)转印至第2基板(P2)。 | ||
| 申请公布号 | CN106605294A | 申请公布日期 | 2017.04.26 |
| 申请号 | CN201580045821.X | 申请日期 | 2015.08.24 |
| 申请人 | 株式会社尼康 | 发明人 | 奈良圭;中积诚;西康孝 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L51/50(2006.01)I;H05B33/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 王涛;汤在彦 |
| 主权项 | 一种元件制造方法，将构成电子元件的至少一部分积层构造体形成于第1基板上后，将前述积层构造体转印至第2基板上，其特征在于，具备：第1步骤，藉由于前述第1基板上形成导电性材料所形成的第1导电层，于前述第1导电层上形成绝缘性及半导体的至少一材料所形成的功能层，于前述功能层上形成导电性材料所形成的第2导电层，以形成前述积层构造体；以及第2步骤，以前述第2导电层位于前述第2基板侧的方式使前述第1基板与前述第2基板暂时接近或紧贴，以将前述积层构造体转印至前述第2基板。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||