发明名称 |
穿硅孔堆叠结构以及其制作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种由多个基底叠合而成的穿硅孔堆叠结构,其中每个基底都包含多个渐缩式的穿硅孔,每个渐缩式穿硅孔较粗的一端会具有一凹部,较细的一端则从基底中凸出,基底会以其每个渐缩式穿硅孔的较细端装入另一渐缩式穿硅孔式的较粗端对应凹部中并与其接合的方式来逐一堆叠。 |
申请公布号 |
CN103779324B |
申请公布日期 |
2017.04.26 |
申请号 |
CN201210552430.5 |
申请日期 |
2012.12.18 |
申请人 |
南亚科技股份有限公司 |
发明人 |
林柏均 |
分类号 |
H01L23/538(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/538(2006.01)I |
代理机构 |
深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 |
代理人 |
江耀纯 |
主权项 |
一种穿硅孔堆叠结构,其特征在于,包含多个叠合的基底,其中每个所述基底包含:至少一渐缩式穿硅孔导体,贯穿所述基底;一介电质围绕在每一所述穿硅孔导体与所述基底之间,其中所述渐缩式穿硅孔导体具有一较粗端以及一较细端,所述较粗端具有一凹部从所述基底的一有源面裸露而出,且具有一凸出部环绕于所述凹部周围,其中所述凸出部具有一顶面与所述介电质的一顶面齐平,所述较细端从与所述基底的所述有源面相对的另一表面凸出;一导电质凸块包覆所述渐缩式穿硅孔导体的所述较细端,其中所述导电质凸块是直接接触所述介电质;一材料膜覆盖整个与所述基底的所述有源面相对的所述另一表面及整个所述导电质凸块;其中所述多个叠合的基底以将一所述基底的每一所述穿硅孔导体的所述较细端装入另一所述基底的穿硅孔导体的所述较粗端上对应的所述凹部中的方式来逐一叠合。 |
地址 |
中国台湾桃园县 |