发明名称 | 提供高畴壁速率的铁磁器件 | ||
摘要 | 本发明涉及一种铁磁器件(10),该铁磁器件具有沿着纵向方向(11)延伸的包括铁磁材料的延长结构,其中铁磁材料的与所述纵向方向垂直的横向截面被设计为提供在铁磁材料的Walker击穿限制以上的畴壁速率。具体而言,铁磁材料的外围轮廓的至少一部分(21‑23)在横向截面(20)中形成非正交凸集合。例如整个外围轮廓可以实现(非正交)凸多边形。 | ||
申请公布号 | CN103348411B | 申请公布日期 | 2017.04.26 |
申请号 | CN201280007942.1 | 申请日期 | 2012.02.03 |
申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | R·艾伦斯帕克;C·兹诺尼 |
分类号 | G11C11/16(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/16(2006.01)I |
代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 酆迅 |
主权项 | 一种用于基于自旋的信息存储或者处理装置的铁磁器件(10),具有沿着纵向方向(11)延伸的包括单一铁磁材料的延长结构,其中所述延长结构的一个或者多个侧向边缘(21,22)是变细的或者渐细的边缘,使得所述单一铁磁材料的与所述纵向方向垂直的横向截面(20)被设计为提供比在所述单一铁磁材料的Walker击穿限制处所获得的畴壁速率更大的畴壁速率。 | ||
地址 | 美国纽约阿芒克 |