发明名称 半导体器件及其制造方法
摘要 半导体器件及其制造方法。本发明提供一种即使在从外部局部地施加压力时也不容易损坏的半导体器件。另外,本发明还提供高成品率地制造对于即使受来自外部的局部推压也不损坏的可靠性高的半导体器件的方法。在包括使用非单晶半导体层形成的半导体元件的元件层上设置在有机化合物或无机化合物的高强度纤维中浸渗有机树脂而成的结构体,并且进行加热和压合,来制造固定有在有机化合物或无机化合物的高强度纤维中浸渗有机树脂而成的结构体及元件层的半导体器件。
申请公布号 CN103258800B 申请公布日期 2017.04.26
申请号 CN201310141588.8 申请日期 2008.03.12
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 杉山荣二;道前芳隆;大谷久;鹤目卓也
分类号 H01L23/14(2006.01)I;H01L23/498(2006.01)I;H01Q1/22(2006.01)I 主分类号 H01L23/14(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 李玲
主权项 一种半导体器件,包括:第一层,所述第一层包括浸渗有第一有机树脂的第一纤维体;在所述第一层上的具有使用非单晶半导体层的半导体元件的元件层;在所述半导体元件上的第二层,所述第二层包括浸渗有第二有机树脂的第二纤维体;以及电连接到所述半导体元件的天线,其中,所述半导体元件夹在所述第一层和第二层之间,其中,所述第一纤维体和第二纤维体受开纤加工,并且其中,所述半导体器件能够被弯曲。
地址 日本神奈川县