| 发明名称 | 紫外光探测器及其制备方法和应力调制灵敏度的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体光探测器技术领域，公开了一种紫外光探测器及其制备和应力调制灵敏度的方法。其中，制备紫外光探测器的方法包括：在基底上形成下电极；在所述下电极上形成下光敏层；在所述下光敏层上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成上光敏层；在所述上光敏层上形成上电极；将所述基底、下电极、下光敏层、绝缘层、上光敏层和所述上电极封装。上述方法制备的紫外光探测器在低光强下的灵敏度高，紫外光探测器具有更优的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN106601864A | 申请公布日期 | 2017.04.26 |
| 申请号 | CN201610353525.2 | 申请日期 | 2016.05.25 |
| 申请人 | 北京纳米能源与系统研究所 | 发明人 | 刘彩红;张洋;翟俊宜 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/09(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人 | 金旭鹏;肖冰滨 |
| 主权项 | 一种制备紫外光探测器的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：在基底上形成下电极；在所述下电极上形成下光敏层；在所述下光敏层上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成上光敏层；在所述上光敏层上形成上电极；将所述基底、下电极、下光敏层、绝缘层、上光敏层和所述上电极封装。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区学院路30号天工大厦C座 | ||