发明名称 |
一种点阵式磁光电器件及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种点阵式磁光电器件及其制备方法,其制备方法包括光刻、离子注入和制作电极等步骤,本发明制备的点阵式磁光电器件是有图案的、周期性排列的、点阵式的,与磁电子器件相比,光电子器件的磁场线性响应既无需外加电场驱动,又具有高的灵敏度,这种在低磁场下的磁光电效应使得未来电子器件直接融入在磁、光、电各个领域,有可能具有广泛的应用的前景。 |
申请公布号 |
CN106601838A |
申请公布日期 |
2017.04.26 |
申请号 |
CN201611139267.4 |
申请日期 |
2016.12.12 |
申请人 |
兰州大学 |
发明人 |
隋文波;杨德政;薛德胜;司明苏;史智文 |
分类号 |
H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/103(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0352(2006.01)I |
代理机构 |
北京中恒高博知识产权代理有限公司 11249 |
代理人 |
宋敏 |
主权项 |
一种点阵式磁光电器件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1、选取GaAs进行光刻;步骤2、将步骤1中光刻好的GaAs进行离子注入,所述离子注入方法采用40 keV能量加速氮离子进行掺杂;步骤3、制作电极,所述制作电极的步骤包括:步骤301、用磁控溅射台在步骤2制备的点阵式GaAs器件表面制备至少2个银电极;步骤302、将步骤301中制备了银电极的GaAs器件表面进行超声波清洗以去除光刻胶;步骤303、烘干步骤302清洗后的GaAs器件。 |
地址 |
730000 甘肃省兰州市城关区天水南路222号 |