| 发明名称 | 一种氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法，该氮化镓高电子迁移率晶体管包括：衬底基板、设置在所述衬底基板上的外延片层、第一绝缘层、第二绝缘层、栅极图案、第三绝缘层、金属层，所述金属层包括源场板图案、源极图案和漏极图案，所述源极图案与所述源场板图案电连接，所述源场板图案与所述栅极图案的位置相对。该氮化镓高电子迁移率晶体管通过将源极图案与源场板图案通过同一构图工艺一体形成，降低了工艺步骤，节省了成本，通过设置与栅极图案的位置相对的源场板图案，抑制电流崩塌来改善器件的击穿特性，降低了器件栅极附近的表面电场，提高了器件的耐压。 | ||
| 申请公布号 | CN106601792A | 申请公布日期 | 2017.04.26 |
| 申请号 | CN201510665965.7 | 申请日期 | 2015.10.15 |
| 申请人 | 北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 刘美华;陈建国;林信南 |
| 分类号 | H01L29/40(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/40(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 李相雨 |
| 主权项 | 一种氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括：衬底基板、设置在所述衬底基板上的外延片层、第一绝缘层、第二绝缘层、栅极图案、第三绝缘层、金属层，所述金属层包括源场板图案、源极图案和漏极图案，所述源极图案与所述源场板图案电连接，所述源场板图案与所述栅极图案的位置相对。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区颐和园路5号 | ||