| 发明名称 | 提高烧结钕铁硼磁体矫顽力的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种提高烧结钕铁硼磁体矫顽力的方法，其包括：利用磁控溅射工艺，在烧结制成的钕铁硼磁体毛坯的表面上溅射一层1‑8μm厚的稀土金属薄膜。利用磁控溅射工艺在磁体表面形成的Dy/Tb薄膜，通过晶界扩散渗Dy/Tb进入到Nd<sub>2</sub>Fe<sub>14</sub>B晶粒的表面层中，增强其各向异性，从而在保证磁体剩磁几乎不变的情况下，大大提高磁体矫顽力。 | ||
| 申请公布号 | CN106601403A | 申请公布日期 | 2017.04.26 |
| 申请号 | CN201611236249.8 | 申请日期 | 2016.12.28 |
| 申请人 | 京磁新材料有限公司 | 发明人 | 胡元磊 |
| 分类号 | H01F1/057(2006.01)I;H01F41/02(2006.01)I | 主分类号 | H01F1/057(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 | 代理人 | 史霞 |
| 主权项 | 一种提高烧结钕铁硼磁体矫顽力的方法，其特征在于，包括：利用磁控溅射工艺，在烧结制成的钕铁硼磁体毛坯的表面上溅射一层1‑8μm厚的稀土金属薄膜。 | ||
| 地址 | 300000 天津市华苑产业区华天道2号5005房间 | ||