一种超薄二维碳化硅材料的制备方法

摘要

本发明涉及一种超薄二维碳化硅的制备方法，是将洁净的硅片置于反应炉管内，升温至1200℃‑1400℃，真空度抽至10^‑5‑10⁵Pa,在保护气体氛围下通入甲烷，反应10s‑3min；冷却至室温；将反应产物分散于异丙醇中，并超声10‑30min；将超声后的溶液滴于铜网上晾干，得到超薄二维碳化硅材料。本发明制备工艺简单，制得的超薄二维碳化硅厚度能达到2‑3nm，大小能达到2μm.而且所制备的二维碳化硅是一种具有宽禁带并能稳定存在的材料，相比石墨烯的零带隙和二硫化钼不能稳定存在的缺点，超薄二维碳化硅的诞生为将二维碳化硅应用于光电探测器、太阳能电池等光电器件以及纳米材料等技术领域提供了突破口。

主权项

一种超薄二维碳化硅材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)将硅片清洗干净，去除硅片表面的氧化层后，置于反应炉内；2)以10℃/min‑30℃/min的速率升温至1300℃‑1400℃，反应炉管内的真空度抽至10^‑5‑10⁵Pa，在保护气体氢气的氛围下通入甲烷，反应3s‑3min；3)以1℃/min‑500℃/min的速率将反应炉冷却至室温；4)将得到的反应产物置于异丙醇中，超声分散；5)将超声后的溶液滴于铜网上晾干，得到超薄二维碳化硅材料。