硅基力值探针及其制作方法

摘要

本发明公开了一种硅基力值探针及其制作方法，所述探针包括主体支撑结构、悬臂梁和针尖等。而所述的制作方法包括：提供双层顶层硅(100)型SOI硅片，所述硅片包括从上向下依次设置的第一层顶层硅、第一层二氧化硅埋层、第二层顶层硅、第二层二氧化硅埋层和底层硅，其中第一层、第二层顶层硅的厚度分别与所述探针的针尖高度及悬臂梁厚度相等；在所述硅片的第一层、第二层顶层硅上加工形成所述探针的针尖结构和悬臂梁结构；以及对所述硅片的底层硅进行加工，形成所述探针的主体支撑结构。本发明的硅基力值探针能实现准确定位，同时其制作方法简单易行，能够实现硅基力值探针的可控制备，且能有效提高力值标准件的成品率及性能。

主权项

一种硅基力值探针，其特征在于包括主体支撑结构、悬臂梁和针尖，所述悬臂梁一端部固定在所述主体支撑结构上，所述针尖固定于悬臂梁另一端部，所述针尖的高度为5～50μm，所述悬臂梁的厚度为1～10μm，长度为0.5mm～10mm。