克服分划板区域限制的大型硅中介板

摘要

一种多晶片集成电路组件包括一个大于在制造“有源区域”中使用的典型分划板大小的中介基板，在有源区域中，硅穿孔(TSV)和互连导体在所述中介板中形成。同时，每个晶片使其外部电源/地线和I/O信号线路连接集中在晶片的较小区域中。所述晶片设置或安装在所述中介板上，使得这些(具有电路/地线/IO连接的)较小区域覆盖所述中介板的有源区域。在这种构造中，多个具有相当大于所述中介板的有源区域的总区域的晶片可以安装在所述中介板上(以及利用有源区域进行连接)。

主权项

一种多晶片集成电路组件，其特征在于，包括：一个具有多个连接的基板；一个设置在所述基板上方的硅中介板，所述硅中介板具有第一部分和第二部分，所述第一部分包括多个与所述基板的所述多个连接电接触的硅穿孔，所述第二部分邻近所述第一部分并且不具有硅穿孔；所述第一部分设置在所述硅中介板中间，所述第二部分设置在所述第一部分的周边；多个集成电路晶片设置在所述硅中介板上方并且横向彼此相邻，每个晶片与所述多个硅穿孔中的一个或多个电接触，其中所述多个硅穿孔用于充当所述晶片和所述基板之间的互相连接；所述硅中介板的所述第一部分进一步包括：多个与多个晶片中的一个或多个电接触的互连导体，以及所述第二部分没有互连导体；其中所述多个晶片中的一个晶片的至少一部分设置在上方并由所述硅中介板的所述第二部分支撑。