发明名称 |
有辅助相位区的相移掩模 |
摘要 |
有辅助相位区的相移掩模。一种相移掩模,有棋盘形阵列和包围的子分辨率辅助相位图形。该棋盘形阵列包括有180度相对相位差的交替相移区R。该子分辨率辅助相位区R′驻留在相邻的对应的相移区R,并对该相移区R有180度的相对相位差。该子分辨率辅助相位区R′被配置成当用光刻法形成光刻胶特征时,减轻不需要的边缘效应。使用该相移掩模形成LED的方法也被公开。 |
申请公布号 |
CN102759851B |
申请公布日期 |
2017.04.26 |
申请号 |
CN201210123628.1 |
申请日期 |
2012.04.25 |
申请人 |
超科技公司 |
发明人 |
R·L·辛赫;W·W·弗莱克 |
分类号 |
G03F1/26(2012.01)I;G03F7/20(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I;H01L33/22(2010.01)I |
主分类号 |
G03F1/26(2012.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
蒋世迅 |
主权项 |
一种供有分辨率极限的光刻成像系统使用的相移掩模,包括:被做成该分辨率极限大小或该分辨率极限以上大小的相移区R的棋盘形阵列,相邻的相移区R有180度的相对相位差,该阵列有周界;和紧邻该周界的至少一部分布置的多个辅助相位区R′,每一辅助相位区R′被做成分辨率极限以下大小并相对于相邻的相移区R有180度的相对相移差。 |
地址 |
美国加利福尼亚 |