| 发明名称 | InP阻变存储材料的制备方法和应用 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种InP阻变存储材料的制备方法和应用，属于微电子制造技术领域。所述制备方法包括以下步骤：1)将单晶InP片作为靶材装入脉冲激光设备腔体内；2)将表面沉积有电极的基片装入脉冲激光设备腔体内；3)将脉冲激光设备腔体内抽真空；4)加热基片；5)利用脉冲激光沉积的方法在基片上沉积InP薄膜；6)将沉积了InP薄膜的基片在真空条件下600～800℃退火，冷却后得到InP阻变存储材料。InP阻变存储材料具有良好存储特性，基于该存储材料制备的阻变存储器具有存储窗口宽，数据保持时间长，耐久性高的特点。 | ||
| 申请公布号 | CN106601906A | 申请公布日期 | 2017.04.26 |
| 申请号 | CN201611095501.8 | 申请日期 | 2016.12.02 |
| 申请人 | 北京有色金属研究总院 | 发明人 | 赵鸿滨;屠海令;魏峰;杨志民;张国成 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人 | 朱琨 |
| 主权项 | InP阻变存储材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将单晶InP片作为靶材装入脉冲激光设备腔体内；(2)将表面沉积有电极的基片装入脉冲激光设备腔体内；(3)将脉冲激光设备腔体内抽真空，真空度为5×10<sup>‑8</sup>Pa；(4)将基片加热至350～450℃；(5)利用脉冲激光沉积的方法在基片上沉积InP薄膜；(6)将沉积了InP薄膜的基片真空条件下进行快速热退火处理，得到InP阻变存储材料。 | ||
| 地址 | 100088 北京市西城区新街口外大街2号 | ||