| 发明名称 | ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED | ||
| 摘要 | 一种ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED，以纳米图形化(PSS)蓝宝石作为外延基底，使用MOCVD方法生长ZnO低温缓冲层和ZnO高温外延层，以ZnO外延层作为高品质导电衬底，后续生长GaN紫外LED外延，LED芯片经剥离和转移后，形成ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED。新型的垂直结构型GaN紫外LED，可降低器件成本，并提高GaN紫外LED的出光效率。形成ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED，剥离工艺简单，成本低，有利于实现柔性衬底的照明工程。 | ||
| 申请公布号 | CN106601881A | 申请公布日期 | 2017.04.26 |
| 申请号 | CN201710093149.2 | 申请日期 | 2017.02.21 |
| 申请人 | 南京大学 | 发明人 | 叶建东;张彦芳;沈洋;卞岳;任芳芳;朱顺明;汤琨;顾书林 |
| 分类号 | H01L33/02(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/02(2010.01)I |
| 代理机构 | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人 | 陈建和 |
| 主权项 | ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED，其特征在于，以纳米图形化(PSS)蓝宝石作为外延基底，使用MOCVD方法生长ZnO低温缓冲层和ZnO高温外延层，以ZnO外延层作为高品质导电衬底，后续生长GaN紫外LED外延，LED芯片经剥离和转移后，形成ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED。 | ||
| 地址 | 210093 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号 | ||