发明名称 一种延迟单元及包含该延迟单元的环形压控振荡器
摘要 本发明公开了一种延迟单元及包含该延迟单元的环形压控振荡器,其中延迟单元包括至少两个调整单元,各调整单元均调整管、第一MOS开关和第二MOS开关;电源正极依次通过第二MOS开关、第一MOS开关与调整管的栅极相连,调节电压输入端接入第一MOS开关与第二MOS开关之间;还包括第一开关电容、第二开关电容、由第一N型晶体管、第二N型晶体管、第一P型晶体管和第二P型晶体管连成的推挽输入对管,由第三N型晶体管、第四N型晶体管、第三P型晶体管和第四P型晶体管连成的锁存器;延迟单元的第一输入端接入第一P型晶体管的栅极和第一N型晶体管的栅极之间。本发明的增益可控,能够实现全摆幅输出,调谐范围宽,相位噪声特性好。
申请公布号 CN106603039A 申请公布日期 2017.04.26
申请号 CN201611176602.8 申请日期 2016.12.19
申请人 湖南国科微电子股份有限公司 发明人 姜黎;李天望;周述;康希;邓春惠
分类号 H03K3/013(2006.01)I;H03K3/03(2006.01)I 主分类号 H03K3/013(2006.01)I
代理机构 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 代理人 卢宏;李美丽
主权项 一种延迟单元,其特征在于,包括至少两个调整单元,各调整单元均包括相应的调整管(MT1,MT2,MTm)、第一MOS开关(S1,S2,Sm)和第二MOS开关(S1',S2',Sm'),所述调整管(MT1,MT2,MTm)为P型晶体管;对于每一调整单元,电源正极依次通过第二MOS开关(S1',S2',Sm')、第一MOS开关(S1,S2,Sm)与调整管(MT1,MT2,MTm)的栅极相连,调节电压输入端接入第一MOS开关(S1,S2,Sm)与第二MOS开关(S1',S2',Sm')之间;还包括第一开关电容(Cv1)、第二开关电容(Cv2)、由第一N型晶体管(MN1)、第二N型晶体管(MN2)、第一P型晶体管(MP1)和第二P型晶体管(MP2)连成的推挽输入对管,由第三N型晶体管(MN3)、第四N型晶体管(MN4)、第三P型晶体管(MP3)和第四P型晶体管(MP4)连成的锁存器;第一开关电容(Cv1)的正极、各调整管(MT1,MT2,MTm)的源极均接入第一P型晶体管(MP1)的漏极和第一N型晶体管(MN1)的漏极之间;第二开关电容(Cv2)的正极、各调整管(MT1,MT2,MTm)的漏极均接入第二P型晶体管(MP2)的漏极和第二N型晶体管(MN2)的漏极之间;第一开关电容(Cv1)的负极、第二开关电容(Cv2)的负极均接地;延迟单元的第一输入端接入第一P型晶体管(MP1)的栅极和第一N型晶体管(MN1)的栅极之间;延迟单元的第二输入端接入第二P型晶体管(MP2)的栅极和第二N型晶体管(MN2)的栅极之间;延迟单元的第一输出端与第二开关电容(Cv2)的正极相接;延迟单元的第二输出端与第一开关电容(Cv1)的正极相接。
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