主动开关阵列基板及其制备方法

摘要

本发明提供一种主动开关阵列基板的制备方法，其包括：提供基板；在基板上镀覆第一金属层；对第一金属层进行第一次光刻处理，形成栅极；于基板、栅极上沉积非晶硅层；在非晶硅层上镀覆形成第二金属层；对第二金属层进行第二次光刻处理，以形成图案化第二金属层；于图案化第二金属层上涂覆钝化层；对钝化层进行第三次光刻处理，以形成通孔于钝化层上；于钝化层上镀覆透光导电层，其中透光导电层穿过通孔与图案化第二金属层接触；对透光导电层、钝化层、及图案化第二金属层进行第四次光刻处理，于透光导电层、钝化层、及图案化第二金属层上形成通道、源极及漏极，源极和漏极分别位于通道的两侧。本发明还提供由该制备方法制得的主动开关阵列基板。

主权项

一种主动开关阵列基板的制备方法，其包括以下步骤：提供一基板；在所述基板上镀覆第一金属层；对所述第一金属层进行第一次光刻处理，以形成栅极；于所述基板、所述栅极上沉积非晶硅层；在所述非晶硅层上镀覆形成第二金属层；对所述第二金属层进行第二次光刻处理，以形成图案化第二金属层；于所述图案化第二金属层上涂覆钝化层；对所述钝化层进行第三次光刻处理，以形成通孔于所述钝化层上；于所述钝化层上镀覆透光导电层，其中所述透光导电层穿过所述通孔与所述图案化第二金属层接触；对所述透光导电层、所述钝化层、及所述图案化第二金属层进行第四次光刻处理，于所述透光导电层、所述钝化层、及所述图案化第二金属层上形成通道、源极及漏极，所述源极和所述漏极分别位于所述通道的两侧。