| 发明名称 | 一种半导体器件及其制备方法、电子装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有PMOS和存储器NMOS，在所述PMOS和所述存储器NMOS中形成有去除环绕鳍片的虚拟栅极之后形成的凹槽；步骤S2：在述凹槽中曝露出的所述PMOS和所述存储器NMOS的所述鳍片上形成高K介电层和第一覆盖层；步骤S3：在所述PMOS的所述第一覆盖层上形成第二覆盖层和第一功函数层；步骤S4：在所述PMOS的所述第一功函数层和所述存储器NMOS的所述第一覆盖层上形成第二功函数层；步骤S5：对所述PMOS和所述存储器NMOS边界的所述第二功函数层中进行扩散停止离子注入。所述方法可以防止所述存储器NMOS中的Al扩散至所述PMOS栅极，以提高半导体器件的性能和良率。 | ||
| 申请公布号 | CN106601685A | 申请公布日期 | 2017.04.26 |
| 申请号 | CN201510672973.4 | 申请日期 | 2015.10.16 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 周飞 |
| 分类号 | H01L21/8244(2006.01)I;H01L27/11(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8244(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 高伟;冯永贞 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制备方法，包括：步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有PMOS和存储器NMOS，在所述PMOS和所述存储器NMOS中形成有去除环绕鳍片的虚拟栅极之后形成的凹槽；步骤S2：在述凹槽中曝露出的所述PMOS和所述存储器NMOS的所述鳍片上形成高K介电层和第一覆盖层；步骤S3：在所述PMOS的所述第一覆盖层上形成第二覆盖层和第一功函数层；步骤S4：在所述PMOS的所述第一功函数层和所述存储器NMOS的所述第一覆盖层上形成第二功函数层；步骤S5：对所述PMOS和所述存储器NMOS边界的所述第二功函数层中进行扩散停止离子注入，以防止所述边界处离子的扩散。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||