| 发明名称 | 一种半导体器件及其制备方法、电子装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有若干鳍片，其中，所述半导体衬底包括NMOS区域和PMOS区域，在所述NMOS区域上形成有环绕所述鳍片的NMOS栅极，在所述PMOS区域上形成有环绕所述鳍片的PMOS栅极；步骤S2：在所述NMOS栅极的两侧执行口袋离子注入；步骤S3：在所述NMOS栅极的两侧执行LDD离子注入，以形成NMOS LDD扩展区；步骤S4：在所述PMOS栅极的两侧形成第一凹槽并进行预烘烤步骤S5：在所述第一凹槽中外延生长第一半导体材料层并进行原位掺杂，以形成PMOS抬升源漏；步骤S6：执行退火步骤，以使所述原位掺杂的离子扩散至所述PMOS栅极的下方，以形成PMOS LDD扩展区。 | ||
| 申请公布号 | CN106601677A | 申请公布日期 | 2017.04.26 |
| 申请号 | CN201510661897.7 | 申请日期 | 2015.10.14 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 周飞 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 高伟;冯永贞 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制备方法，包括：步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有若干鳍片，其中，所述半导体衬底包括NMOS区域和PMOS区域，在所述NMOS区域上形成有环绕所述鳍片的NMOS栅极，在所述PMOS区域上形成有环绕所述鳍片的PMOS栅极；步骤S2：在所述NMOS栅极的两侧执行口袋离子注入；步骤S3：在所述NMOS栅极的两侧执行LDD离子注入，以形成NMOS LDD扩展区；步骤S4：在所述PMOS栅极的两侧形成第一凹槽并进行预烘烤，以去除所述第一凹槽以及所述半导体衬底表面的残留物；步骤S5：在所述第一凹槽中外延生长第一半导体材料层并进行原位掺杂，以形成PMOS抬升源漏；步骤S6：执行退火步骤，以使所述原位掺杂的离子扩散至所述PMOS栅极的下方，以形成PMOS LDD扩展区。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||