| 发明名称 | 方法和半导体芯片器件 | ||
| 摘要 | 本申请涉及方法和半导体芯片器件。根据各种实施例，一种方法可以包括：使用第一剥离工艺在表面上形成第一层；使用第二剥离工艺在所述第一层之上形成第二层；其中将所述第二剥离工艺配置成使得所述第二层至少部分地覆盖所述第一层的至少一个侧壁。 | ||
| 申请公布号 | CN106601638A | 申请公布日期 | 2017.04.26 |
| 申请号 | CN201610900454.3 | 申请日期 | 2016.10.14 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | J·加特巴尤尔;D·博纳特;M·德比;T·格罗斯;B·魏德甘斯 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 郑立柱;董典红 |
| 主权项 | 一种方法，包括：使用第一剥离工艺在表面上形成第一层；使用第二剥离工艺在所述第一层之上形成第二层；其中将所述第二剥离工艺配置成使得所述第二层至少部分地覆盖所述第一层的至少一个侧壁。 | ||
| 地址 | 德国诺伊比贝尔格 | ||