发明名称 | 一种碲镉汞材料低损伤混合型干法刻蚀方法 | ||
摘要 | 本发明涉及半导体领域,特别涉及一种碲镉汞材料低损伤混合型干法刻蚀方法。该方法包括:在电感耦合等离子体ICP的工艺腔室中,在设定的第一工艺环境下,采用设定的射频功率,对碲镉汞材料进行刻蚀,得到接触孔;在ICP的工艺腔室中,在设定的第二工艺环境下,采用零射频,对接触孔处理预设时间。借助于本发明的技术方案,可以解决单步干法刻蚀工艺后P型接触孔反型严重问题,避免湿法腐蚀工艺在小尺寸接触孔上的各向异性差、钻蚀严重、腐蚀深度重复性差和均匀性不好等问题,有效的降低了刻蚀引入的表面损伤,同时又能实现较高的刻蚀速率和较好的刻蚀孔形貌。 | ||
申请公布号 | CN106601609A | 申请公布日期 | 2017.04.26 |
申请号 | CN201611114122.9 | 申请日期 | 2016.12.07 |
申请人 | 中国电子科技集团公司第十一研究所 | 发明人 | 陈慧卿;谭振;张敏;宁提 |
分类号 | H01L21/3065(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
代理机构 | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人 | 于金平 |
主权项 | 一种碲镉汞材料低损伤混合型干法刻蚀方法,其特征在于,包括以下步骤:在电感耦合等离子体ICP的工艺腔室中,在设定的第一工艺环境下,采用设定的射频功率,对所述碲镉汞材料进行刻蚀,得到接触孔;在所述ICP的工艺腔室中,在设定的第二工艺环境下,采用零射频,对所述接触孔处理预设时间。 | ||
地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路4号 |