单晶硅锭及晶圆的形成方法

摘要

本发明提出了一种单晶硅及晶圆的形成方法，先对硅片进行氘原子的注入，使氘原子保留在硅片间隙内，接着，在采用直拉法形成单晶硅锭时，使用被注入氘原子的硅片，使形成的单晶硅锭中氧含量和其它杂质降低，采用单晶硅锭形成晶圆后，在晶圆上形成的器件时，氘能够扩散出，并与界面处等悬空键进行结合，形成较为稳定的结构，从而避免热载流子的穿透，降低漏电流，提高器件的性能与可靠性。

主权项

一种单晶硅锭的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供硅片，对所述硅片进行氘原子掺杂；使用掺杂后的所述硅片作为原始掺杂材料与多晶硅材料熔合，采用直拉法形成单晶硅锭。