一种常压低温化学气相沉积制备石墨烯薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种常压低温化学气相沉积制备石墨烯薄膜的方法，该方法通过对金属基底先进行高温退火处理，再进行降温退火处理，然后通过化学气相沉积法，在金属基底表面获得石墨烯薄膜。本发明方法提高了金属基底的催化活性，从而降低了石墨烯的生长温度，因此降低了工业生产石墨烯薄膜的能耗及成本，相比传统的化学气相沉积法合成石墨烯薄膜，本发明方法工艺简单，碳源来源广泛，制备的石墨烯薄膜质量高、层数均一且可控。

主权项

一种常压低温化学气相沉积制备石墨烯薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）将金属基底分别用盐酸、丙酮、去离子水超声清洗5~10min，并除去金属基底表面的水分，然后对金属基底进行高温退火处理，处理条件为：氩气流量300~1000sccm，氢气流量10~100sccm，温度为850~1050℃，处理时间10~90min；（2）对步骤（1）中经高温退火处理的金属基底进行降温退火处理，处理条件为：在氩气气氛下匀速降温至200~800℃，其中氩气流量为300~1000sccm；（3）待步骤（2）中金属基底降至预定反应温度，通入气体碳源和氩气，进行化学气相沉积，即得到石墨烯薄膜。