| 发明名称 | 发光芯片及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种发光芯片，包括N型半导体层、P型半导体层及位于N型半导体层及P型半导体层之间的激发层，还包括位于P‑N接面之中的补偿层，补偿层在生长过程中填补发光芯片的磊晶缺陷中的悬空键。由于补偿层的作用，发光芯片具有较高的逆向电压，从而获得较高的品质。本发明还提供一种发光芯片的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN104134729B | 申请公布日期 | 2017.04.26 |
| 申请号 | CN201310160171.6 | 申请日期 | 2013.05.03 |
| 申请人 | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 | 发明人 | 邱镜学;林雅雯;凃博闵;黄世晟 |
| 分类号 | H01L33/14(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/14(2010.01)I |
| 代理机构 | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人 | 薛晓伟 |
| 主权项 | 一种发光芯片，包括N型半导体层、P型半导体层及位于N型半导体层及P型半导体层之间的激发层，其特征在于：还包括补偿层，补偿层在生长过程中释放填补发光芯片的磊晶缺陷中悬空键的原子，补偿层包括未掺杂的氮化铝镓材料。 | ||
| 地址 | 518109 广东省深圳市宝安区龙华街道办油松第十工业区东环二路二号 | ||