内埋式电子元件封装结构

摘要

本发明是有关一种内埋式电子元件封装结构，其包括核心层、介电层、电子元件、第一介电层、第二介电层、屏蔽金属层以及多个导通孔。核心层包括第一表面、相对第一表面的第二表面及贯穿核心层的容置槽。电子元件位于容置槽内。容置槽包括内表面，面向电子元件。第一介电层设置于第一表面上，并填入部份容置槽中且覆盖电子元件的一侧。第二介电层设置于第二表面上，并填入剩下的容置槽中且覆盖电子元件的另一侧并与第一介电层相接合。第一及第二介电层包覆电子元件。屏蔽金属层至少包覆核心层的内表面。导通孔分别配置于第一介电层及第二介电层内，并分别由第一及第二介电层的外表面延伸至屏蔽金属层。

主权项

一种内埋式电子元件封装结构，其特征在于包括：核心层，包括第一表面、相对该第一表面的第二表面及容置槽，该容置槽贯穿该核心层；电子元件，设置于该容置槽内，该容置槽包括内表面，面向该电子元件；第一介电层，设置于该核心层的该第一表面上，并填入部分该容置槽中，且覆盖该电子元件的一侧；第二介电层，设置于该核心层的该第二表面上，并填入剩下的该容置槽中，且覆盖该电子元件的另一侧，并与该第一介电层相接合，其中，第一介电层及第二介电层完整包覆该电子元件；屏蔽金属层，包覆该容置槽的该内表面，且该屏蔽金属层由该内表面分别延伸覆盖部份的该第一表面及该第二表面；以及多个第一导通孔，分别配置于该第一介电层以及该第二介电层内，并分别由该第一介电层以及该第二介电层的外表面延伸至位于该第一表面及该第二表面上的该屏蔽金属层。