发明名称 |
耳机 |
摘要 |
本发明涉及一种耳机,包括:一壳体,该壳体具有一收容空间,所述耳机进一步包括多个热致发声器单元设置于所述壳体的收容空间内,所述热致发声器单元进一步包括:一基底,该基底具有相对的一第一表面和一第二表面;多个相互平行且间隔设置的凹部设置于所述基底的第一表面;至少一第一电极与至少一第二电极间隔设置,相邻的第一电极与第二电极之间具有至少一凹部;一热致发声元件设置于基底所述第一表面且与所述至少一第一电极与至少一第二电极电连接,所述热致发声元件在所述多个凹部位置悬空设置。 |
申请公布号 |
CN103841480B |
申请公布日期 |
2017.04.26 |
申请号 |
CN201210471133.8 |
申请日期 |
2012.11.20 |
申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
发明人 |
魏洋;范守善 |
分类号 |
H04R1/10(2006.01)I;H04R23/00(2006.01)I |
主分类号 |
H04R1/10(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种耳机,包括:一壳体,该壳体具有一收容空间,其特征在于,所述耳机进一步包括多个热致发声器单元设置于所述壳体的收容空间内,所述热致发声器单元进一步包括:一基底,该基底具有相对的一第一表面和一第二表面;一集成电路芯片,该集成电路芯片直接集成于所述基底上;至少一第一电极与至少一第二电极间隔设置,相邻的第一电极与第二电极之间具有至少一凹槽;一热致发声元件设置于基底所述第一表面且与所述至少一第一电极与至少一第二电极电连接,所述热致发声元件在所述凹槽位置悬空设置,其中,所述基底为一硅基底,所述基底的第一表面形成有多个相互平行且间隔设置的凹槽,所述凹槽的深度为100微米至200微米,所述凹槽横截面的形状为倒梯形;所述热致发声元件为一碳纳米管层状结构,该碳纳米管层状结构在所述凹槽处悬空设置。 |
地址 |
100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 |