| 发明名称 | 半导体器件的伪栅电极 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件的伪栅电极。一个实施例包括：包含第一表面的衬底；覆盖第一表面的一部分的绝缘区，其中绝缘区的顶部限定第二表面；以及位于第二表面上方的伪栅电极，其中伪栅电极包括底部和宽于底部的基部，其中底部的宽度与基部的宽度的比值是约0.5至约0.9。 | ||
| 申请公布号 | CN103515440B | 申请公布日期 | 2017.04.26 |
| 申请号 | CN201310051347.4 | 申请日期 | 2013.02.16 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 林志忠;林志翰;张铭庆 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：衬底，包含第一表面；绝缘区，覆盖所述第一表面的一部分；栅电极，位于所述衬底上方，所述栅电极具有第一基部和设置在所述第一基部和所述衬底之间的第一底部，所述第一基部的宽度与所述第一底部的宽度之间的差值限定第一宽度差；伪栅电极，位于所述绝缘区上方，其中所述伪栅电极包括第二底部和宽于所述第二底部的第二基部，其中，所述第一底部的宽度大于所述第二底部的宽度，所述第二基部的宽度与所述第二底部的宽度之间的差值限定第二宽度差，所述第二宽度差与所述第一宽度差的比值是2至100；以及伪栅极电介质，介于所述伪栅电极和所述绝缘区之间。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||