发明名称 |
湿溶性光刻 |
摘要 |
一种在半导体衬底上形成湿溶性光刻层的系统,包括提供衬底,在衬底上淀积包括第一材料的第一层,在衬底上淀积包括第二材料的第二层。在一个实施例中,第一材料与第二材料包括不同的成分,第一层和第二层之一包括硅。 |
申请公布号 |
CN101872126B |
申请公布日期 |
2017.04.26 |
申请号 |
CN200910225445.9 |
申请日期 |
2009.12.14 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
王建惟;张庆裕 |
分类号 |
G03F7/16(2006.01)I;H01L21/70(2006.01)I |
主分类号 |
G03F7/16(2006.01)I |
代理机构 |
北京德恒律师事务所 11306 |
代理人 |
梁永 |
主权项 |
一种在衬底上形成湿溶性光刻层的方法,该方法包括:提供衬底;在所述衬底上淀积包括第一材料的第一层;以及在所述第一层上淀积包括第二材料的第二层,其中所述第一材料与所述第二材料包括不同的成分,且其中所述第一层和第二层中的一个包括硅,所述第一层为牺牲含硅层;构图所述第一层和所述第二层以形成所述衬底的曝光部分;在所述衬底上进行注入工艺;所述方法还包括在所述注入工艺之后进行热处理和光处理之一,其中所述热处理和所述光处理之一改变所述牺牲含硅层的可溶性。 |
地址 |
中国台湾新竹 |