发明名称 湿溶性光刻
摘要 一种在半导体衬底上形成湿溶性光刻层的系统,包括提供衬底,在衬底上淀积包括第一材料的第一层,在衬底上淀积包括第二材料的第二层。在一个实施例中,第一材料与第二材料包括不同的成分,第一层和第二层之一包括硅。
申请公布号 CN101872126B 申请公布日期 2017.04.26
申请号 CN200910225445.9 申请日期 2009.12.14
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 王建惟;张庆裕
分类号 G03F7/16(2006.01)I;H01L21/70(2006.01)I 主分类号 G03F7/16(2006.01)I
代理机构 北京德恒律师事务所 11306 代理人 梁永
主权项 一种在衬底上形成湿溶性光刻层的方法,该方法包括:提供衬底;在所述衬底上淀积包括第一材料的第一层;以及在所述第一层上淀积包括第二材料的第二层,其中所述第一材料与所述第二材料包括不同的成分,且其中所述第一层和第二层中的一个包括硅,所述第一层为牺牲含硅层;构图所述第一层和所述第二层以形成所述衬底的曝光部分;在所述衬底上进行注入工艺;所述方法还包括在所述注入工艺之后进行热处理和光处理之一,其中所述热处理和所述光处理之一改变所述牺牲含硅层的可溶性。
地址 中国台湾新竹