沟槽式功率晶体管

摘要

一种沟槽式功率晶体管。沟槽式功率晶体管的沟槽栅极结构位于一外延层的元件沟槽内，并至少包括遮蔽电极、栅极电极以及绝缘层。绝缘层包括一第一介电层、一第二介电层及一第三介电层，其中该第三介电层位于该元件沟槽下半部，且部分位于该元件沟槽下半部的该第二介电层被夹设于该第一介电层与该第三介电层之间，其中第二介电层的介电常数大于第一介电层的介电常数。

主权项

一种沟槽式功率晶体管，其特征在于，该沟槽式功率晶体管包括：一基材；一外延层，位于该基材上，其中，该外延层具有至少一元件沟槽形成于其中；一沟槽栅极结构，位于该元件沟槽中，其中，该沟槽栅极结构包括：一遮蔽电极，位于该元件沟槽的下半部；一栅极电极，位于该元件沟槽的上半部，并与该遮蔽电极电性绝缘；以及一绝缘层，设置于该元件沟槽内且具有与该元件沟槽的内壁面相符的轮廓，其中，该栅极电极及该遮蔽电极通过该绝缘层与该外延层彼此隔离，其中，该绝缘层至少包括一第一介电层、一第二介电层及一第三介电层，其中，该第三介电层位于该元件沟槽的下半部，且部分位于该元件沟槽的下半部的该第二介电层被夹设于该第一介电层与该第三介电层之间，其中，该第二介电层的介电常数大于该第一介电层的介电常数；一基体区，形成于该外延层中，并环绕该沟槽栅极结构；以及一源极区，形成于该基体区的上方。